Усовершенствованы платформы для энергоэффективных систем

Обнаруженные в оксиде европия магнитные квазичастицы позволяют управлять свойствами материала с помощью малых магнитных полей и света.

МОСКВА, 21 января. /ТАСС/. Российские исследователи разработали технологию, которая усовершенствует полупроводниковые платформы для электроники нового поколения и приблизит создание новых энергоэффективных систем. Об этом сообщили ТАСС в пресс-службе Национального исследовательского центра «Курчатовский институт».

Вместе с коллегами из НИЯУ МИФИ ученые Курчатовского института предложили новый подход к объединению в одном устройстве магнитного материала (оксида европия, EuO) и полупроводниковой платформы на базе арсенида галлия (GaAs). Такая составная система в будущем может стать основой новых энергоэффективных устройств, использующих технологии спинтроники. Авторы решили проблему совместимости ее элементов — устранили неуправляемые химические процессы, которые возникали на границе (интерфейсе) двух материалов.

«Новый подход позволил подавить нежелательные реакции за счет контроля над структурой интерфейса на начальном этапе синтеза. Предложенная стратегия универсальна и позволит в будущем получить большое разнообразие гетероструктур с уникальными свойствами, которые будут востребованы для создания энергоэффективных устройств», — уточнили в научном центре.

Обнаруженные недавно в оксиде европия магнитные квазичастицы позволяют управлять свойствами материала с помощью малых магнитных полей и света. Арсенид галлия выступает естественным кандидатом для интеграции с EuO, однако ученым пока не удавалось объединить их напрямую в одной системе без использования буферных слоев других материалов. Российские ученые смогли реализовать этот подход благодаря модификации поверхности арсенида галлия оксидом европия и новой технологии синтеза структур.

«Современная полупроводниковая электроника близка к своему технологическому пределу. В настоящее время востребованы новые материалы и структуры, позволяющие создавать компактные элементы электроники с низким потреблением энергии. С одной стороны, они должны задействовать разработанные полупроводниковые технологические платформы, а с другой — обеспечивать функциональность за счет новых свойств», — отметил руководитель проекта Дмитрий Аверьянов, чьи слова приводит пресс-служба института.

Результаты работы, поддержанной грантом Российского научного фонда, опубликованы в журнале Journal of Alloys and Compounds.