Группа учёных Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого (СПбПУ) разработала оригинальный метод оценки радиационной устойчивости оксида галлия — перспективного материала для электроники нового поколения. Это достижение было признано важнейшим результатом 2025 года в области радиационной физики твёрдого тела на ежегодной сессии Научного совета РАН.
Как подчеркнул губернатор Александр Беглов, эта работа является прямым вкладом в выполнение поручений Президента России по развитию отечественной микроэлектроники:
Петербург и наши ученые подтверждают — город готов к выполнению поручений Президента России по развитию отечественной микроэлектроники, которые глава государства дал на совещании в четверг. Исследования ученых Политеха и их уникальный результат — очередное подтверждение высокого потенциала петербургских ученых. Город продолжит поддержку науки, молодых специалистов — это один из десяти приоритетов развития Петербурга.
Исследователям СПбПУ удалось, совместив два ранее не сочетавшихся подхода, создать инструмент для фундаментальной оценки поведения оксида галлия под радиационным воздействием. Это создаёт основу для минимизации дефектов при промышленном производстве диодов, транзисторов и других элементов на его основе.
Практическое значение открытия многогранно: высокая радиационная стойкость делает материал идеальным для электроники, работающей в экстремальных условиях космоса; применение в системах управления на атомных электростанциях, где критична устойчивость к высокоэнергетическим частицам; открывает путь к созданию полупроводниковых переключателей, фотодетекторов и датчиков нового поколения.
В Политехническом университете сильнейшая научная школа по микро- и наноэлектронике. Университет активно сотрудничает с промышленными предприятиями нашего города, расширяет партнёрство для обеспечения технологического суверенитета России.
