Картина дняПолитикаЭкономикаОбществоПроисшествияСВООбъясняемФинансыСпортВфокусеПогодаКурсыСделано в России

Увеличено излучение света из многокомпонентной наноструктуры для электроники

26 декабря,источник: ТАСС Наука
Методика позволит разрабатывать микромасштабные оптические приборы.

САНКТ-ПЕТЕРБУРГ, 26 декабря. /ТАСС/. Ученые Санкт-Петербургского государственного университета (СПбГУ) втрое увеличили эффективность излучения света из многокомпонентной наноструктуры. Методика позволит разрабатывать микромасштабные оптические приборы, работающие в ближнем инфракрасном диапазоне: лазеры, источники одиночных фотонов, светодиоды, сенсоры, сообщили в пресс-службе СПбГУ.

«Ученые Санкт-Петербургского государственного университета разработали методику увеличения фотолюминесценции — излучения света — для структуры, представляющей собой нитевидный нанокристалл с квантовой точкой и квантовой ямой внутри. Благодаря этому можно создавать лазеры, сенсоры и светодиоды, дающие больше энергии при меньшем размере», — говорится в сообщении.

Как напомнили в университете, полупроводниковые структуры позволяют создавать устройства для оптоэлектроники, фотоники, медицины, возобновляемых источников энергии и других отраслей. Среди таких структур можно выделить квантовые ямы, нитевидные нанокристаллы или квантовые точки, за открытие которых выпускник университета Алексей Екимов получил Нобелевскую премию в 2023 году.

Ученые СПбГУ показали, что особый интерес представляют комбинации элементов различной размерности, например, квантовая точка и квантовая яма в теле нитевидного нановискера. Такие структуры могут быть перспективным материалом для создания приложений в области квантовых технологий, также они обладают широким функционалом, поскольку могут быть синтезированы на дешевых кремниевых подложках, а затем оторваны с поверхности кремния и перенесены на любую другую. Теперь ученые смогли увеличить эффективность приложений на основе таких композиций.

«Мы смогли добиться трехкратного увеличения интегральной интенсивности фотолюминесценции (излучения света) от наноструктур комбинированной размерности на основе системы материалов InAsP/InP (индий-мышяк-фосфор/ индий-фосфор), которые излучают в ближнем инфракрасном диапазоне», — привели в пресс-службе слова руководителя лаборатории новых полупроводниковых материалов для квантовой информатики и телекоммуникаций СПбГУ Родиона Резника.